晚报 | 9月29日主题前瞻
DRAM及NAND闪存市场缺货情况较此前预测更为严峻,预计今年四季度及2026年行业价格将进一步上升。继闪迪、美光、三星及西部数据宣布涨价之后,存储模组大厂威刚在日前宣布,自29日起停止DDR4报价,DDR5与NAND闪存优先供应主要客户;NAND闪存控制芯片
DRAM及NAND闪存市场缺货情况较此前预测更为严峻,预计今年四季度及2026年行业价格将进一步上升。继闪迪、美光、三星及西部数据宣布涨价之后,存储模组大厂威刚在日前宣布,自29日起停止DDR4报价,DDR5与NAND闪存优先供应主要客户;NAND闪存控制芯片
今天刷存储芯片板块的行情,越看越有门道。上周五整个板块跌了1.82%,不少概念股跟着跌,但有几家公司反而被资金逆势加仓,仔细一查才发现,它们有个共同标签——既是长江存储的供应商,又是长鑫存储的合作伙伴。要知道,长江存储主攻3D NAND闪存,长鑫存储专注DRA
up 主尝试通过焊接更换 NAND 存储模块的方式,将其 ROM 存储从 256GB 扩容至 512GB 和 1TB ,但在最后刷入 iOS 系统时才发现无法被识别,他又尝试了另一款 256GB 模块但仍无法被识别。
A:NAND价格方面,上一轮涨价大约始于2023年6月底,持续了三个季度左右。到2024年初,价格开始回落,尤其是在第二季度。2023年低点时,主流64G wafer价格约为1.35美元,高峰时涨至4.2美元左右。之后价格出现了约30%的回落。2025年3月底
在8月利润大增的带动下,1到8月工业企业利润由1至7月同比下降1.7%转为增长0.9%,扭转了自今年5月份以来企业累计利润持续下降态势。
9月份仅剩下最后两个交易日了,从目前来看,在九月份过去四周的行情来看,指数的整体表现还是很不错的,本月上证指数下跌了0.77%,深证指数上涨了4.04%,创业板指数再次上涨9.04%!
近日市场消息显示,DRAM与NAND闪存市场缺货态势较此前预测更为严峻,行业价格上涨窗口已明确开启,预计2024年四季度及2026年将迎来进一步涨价。
周末最大的消息——存储市场缺货潮再升级!台湾工商时报消息,DRAM、NAND闪存全线告急,缺货比之前预估的还要严重。摩根大通更是直接把未来两年的存储市场规模预期上调到3000亿美元!
2025年第三季度,全球存储芯片行业迎来久违的曙光。三星电子财报显示,其存储芯片业务季度营收同比增长15%,扭转了连续四个季度的亏损局面。与此同时,美光科技、SK海力士等巨头也纷纷发布超预期业绩预告。这一变化背后,是AI服务器需求激增、全球半导体供应链重构以及
【AI热潮撕开全球存储市场供需缺口,多家厂商调价,四季度存储涨价成定局】AI热潮带来存力需求,撕开全球存储市场供需缺口。DRAM及NAND闪存市场缺货,情况比此前预测严峻,预计今年四季度及2026年行业价格将进一步上升。 一方面,全球云厂商大幅上调2026年订
【9月28日DRAM及NAND闪存缺货,四季度及2026年价格或升】9月28日,DRAM及NAND闪存市场缺货,情况比此前预测更严峻,预计今年四季度及2026年行业价格会进一步上升。全球云厂商大幅上调2026年订单,存储三大原厂库存不足,未来产能或难满足需求。
刚过去的周末,后台全被存储芯片的消息刷爆了:“短缺是真的吗?能跟着赚点吗?”确实,这周末行业圈最炸的消息就是存储芯片短缺还在升级,从大厂财报到渠道价格,全是实锤信号。今天用9月最新数据,把短缺原因、影响范围、普通人能抓的机会讲透,全是能落地的实在内容,想踩准节
DRAM及NAND闪存市场都出现缺货,且缺货情况较此前预测更为严峻,预计今年四季度及2026年行业价格将进一步上升。
开头爆点:存储芯片行业迎来爆发期!A股这5家公司技术领先、业绩超预期,未来十年至少翻10倍的潜力,你布局了吗?
目前,SSD价格已趋于合理,1TB型号的售价与机械硬盘大致相当。然而,廉价的SSD时代可能转瞬即逝。TrendForce预测,用于SSD等设备的NAND闪存价格将在2025年第四季度再度上涨5%至10%。
继闪迪、美光、三星及西部数据宣布涨价之后,存储模组大厂威刚在日前宣布,自29日起停止DDR4报价,DDR5与NAND闪存优先供应主要客户;NAND闪存控制芯片大厂群联则已在近日恢复部分报价,价格涨幅约10%,被看作NAND闪存市场的“开涨信号”。
长鑫存储与长江存储作为中国存储芯片产业的双巨头,在技术路线、市场地位及产业链布局上各具特色,难以简单评判“谁更牛”。以下从核心竞争力、市场表现、关联公司及未来潜力四个维度展开深度对比:
长江存储作为中国唯一的3D NAND原厂,国产存储芯片巨头;根据胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》,长江存储以1600亿元估值首次入围,位列中国十大独角兽第9、全球第21,成为半导体行业估值最高的新晋独角兽。
长江存储是中国大陆唯一具备 3D NAND 闪存完整产业链能力的 IDM(设计制造一体化)企业,成立于 2016 年,总部位于武汉。公司核心技术为自主研发的晶栈 ®Xtacking® 架构,通过晶圆键合技术实现存储单元与外围电路的独立设计,显著提升芯片性能与产
2025 年 DRAM 技术聚焦制程迭代与高带宽应用,市场由三星、SK 海力士、美光主导,长鑫存储等中国厂商加速追赶。制程向 4F² 节点推进,2024 年 1α/1β 节点量产占比提升,三星 D1b 节点位密度达 446.67Mb/mm²,核心参数领先行业。